近日，美国普渡大学宣布，该校研究人员成功制造出了沟道采用锗(zhe)的CMOS晶体管。

      世界上第一个锗晶体管诞生于1947年。但是，由于n沟道MOSFET的制作较难、无法实现CMOS型晶体管等原因，锗晶体管被后起之秀——硅晶体管所取代。不过，锗在载流子迁移率等沟道层性能方面远远超过硅。

      在硅晶体管微细化即将到达极限的背景下，作为后硅时代的有力候补，锗CMOS晶体管的研发在全球范围再度活跃起来。

      此次，普渡大学电气与计算机工程系叶培德教授的研究团队改进了将锗与电极的接合面形成n型的掺杂技术，从而成功地降低了接触电阻的数值。